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1.什么是P型半導體？什么是N型半導體？
在半導體硅中摻入微量的三價元素硼，因硼最外層的電子只有3個，因此它們排列在晶格中，使晶格間的聯系缺少一個電子，很容易提供空穴。鄰近晶格的電子移到此處填補，就又形成新的空穴。西安儀器儀表電子的不斷填補，形成空穴的不斷遷移。通電后，空穴在電場作用下作定向運動，會形成空穴電流。將以空穴導電為主的半導體稱為P型半導體。如果在硅中摻入微量的五價元素銻，它們排列在晶格中就形成多余的電子，電子在電場作用下作定向運動，會形成電子電流。以電子導電為主的半導體，稱為N型半導體。
2.什么是PN結？它的阻擋層是怎樣形成的？
當P型與N型半導體結合在一起時，因P區的空穴濃度遠大于N區中的空穴濃度，于是，它就向空穴少的N區擴散，并與其中的電子相復合。同樣，因N區的電子濃度遠大于P區中的電子濃度，它要向電子少的P區擴散，并與其中的空穴相復合。結果在P區中靠近交界面的一邊出現一薄層不能移動的負電荷，在N區中靠近交界面的一邊出現一薄層不能移動的正電荷。這種在兩種不同類型半導體的交界面處形成的空間電荷區就是PN結。
空間電荷區會產生一個內電場，其方向由N區指向P區，它對空穴和電子的繼續擴散起阻礙作用，西安儀器儀表故也將這個空間電荷區稱為阻擋層。
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